各種資料のダウンロード
PEGASUS アップデート
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セミナー等の配布資料
| 日付 | 資料内容 |
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| 2016年3月20日 | 第63回応用物理学会春季講演会（3/19〜22） において、「プラズマプロセスにおけるシミュレーション」 と題する招待講演をおこないました。 ( 発表資料 (pdf: 1.2MB)) |
| 2008年10月30日 | 第19回プラズマエレクトロニクス講習会資料 発表資料 (ppt: 2.9MB) テキスト原稿 (pdf:150KB)
「プラズマシミュレーション」と題して発表しました。 |
| 2008年7月22日 | プロセスプラズマの PIC計算モデリング (ppt: 1.3MB)
平成２０年度 核融合科学研究所共同研究 研究会「負イオン生成および負イオンビーム加速とその応用」 に参加する機会をいただきました。そのときの発表資料です。 下の第18回プラズマエレクトロニクス講習会資料から PIC/MCC法の部分を抜き出したもの がベースになっています。 |
| 2007年11月1日 | 第18回プラズマエレクトロニクス講習会資料 (ppt:4.8MB)
「実用シミュレーション技術」と題して発表した資料です。PIC/MCC法、DSMC法、２体衝突近似に基づく モンテカルロ法といった粒子法によるシミュレーション方法を簡単に解説しています。また、流体モデル に基づく計算方法を比較的詳しく解説しています。それぞれの計算手法による計算結果も何例か紹介して います。 |
| 2005年8月31日 | 真空展2005技術発表会 (PDF:3.7MB)
PEGASUS のモジュール構成や計算例を紹介する資料です。 |
| 2005年6月21日 | ISSP2005 配布資料(PDF:3.7MB) |
| 2005年4月22日 | ファインテック2005出展者PRセミナー(PDF:2.4MB) |
| 2004年12月2日 | 日本真空協会第1回技術交流会発表資料 (PDF;0.5MB) |
| 2004年9月17日 | 真空展2004技術発表会 (PDF;3.0MB) |
| 2004年6月30日 | ファインテック2004出展社セミナー (PDF;4.8MB) |
| 2003年12月 | 宮川佳子先生講演資料「イオン・固体表面相互作用解析用計算プログラムの開発」（PDF:1.57MB） |
| プラズマ気体プロセス解析用計算プログラムの開発（PDF:5.2MB） |
PEGASUSに関連する投稿論文、研究会資料など
PEGASUS が関連する論文や資料等です。論文の PDF ファイルには著作権などの関係上 web 上では自由にダウンロードしていただくことが 出来ないものがあります。 もし興味がある論文があれば お問い合わせ下さい。
| タイトル、著者、内容、使用モジュール |
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Comparison of distributions of etching rate and calculated plasma parameters in dual-frequency capacitively coupled plasma Jpn. J. Appl. Phys. 62, SN1011 (2023) https://doi.org/10.35848/1347-4065/acec56 CF4ガスを原料とする 2周波容量結合プラズマ（100MHz/2MHz）において SiO2 および Si のエッチレートを計測しました。同時に流体モデルを 用いたシミュレーションを実施してイオンおよび中性ラジカル種の密度・ フラックス分布を求め、それらとエッチレートの（ウェーハ半径方向の） 分布との関係を調べました。 PHM, NMEM |
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Estimations of secondary electron emission coeficients of Si, SiO2 and polyimide electrodes in dual-frequency capacitively coupled discharge Jpn. J. Appl. Phys. 62, SA1009 (2023) https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac80ea 容量結合プラズマ（CCP)のシミュレーションで得られる電子密度は 電極上でのイオン衝撃による2次電子放出係数に大きく左右されます。 この係数は一般に印加する電圧、電極の材料および表面の状態に依存します。 この論文ではアルゴンの2周波CCP(60MHz/2MHz)に関して流体モデルによる シミュレーションを行い、得られた電子密度と計測値の比較から Si、SiO2 およびポリイミドに対するイオン衝撃の2次電子放出係数の値をそれぞれ 推定しています。 PHM, NMEM |
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Ar/SF6 plasma simulation for dual-frequency coupled plasma incorporating gas flow simulation and secondary electron emission Jpn. J. Appl. Phys. 61, SA1009 (2022) https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac1eab 流体モデルを用いて Ar/SF6 混合ガスの2周波CCP（60MHz/2MHz）シミュレーションを 行いました。電極におけるイオン衝撃による2次電子放出係数を0 〜 0.05 まで変化 させて得られた電子密度を計測値と比較した結果、2次電子放出係数 が 0.04 の場合が 最も計測値に近いことがわかりました。 PHM, NMEM |
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Plasma simulation for dual-frequency capacitively coupled plasma incorporating gas flow simulation Jpn. J. Appl. Phys. 60, SAAB07 (2021) https://doi.org/10.35848/1347-4065/abc106 流体モデルを用いて2周波CCP（60MHz/2MHz アルゴン）のシミュレーションを行い、 生成される準安定励起種の密度分布にについて、ガスの流れを考慮した場合と 拡散のみを考慮した場合を比較しました。また電子の密度については シミュレーションで電極表面の2次電子放出係数を 0.05 とした場合に 0.0と した場合に比べて計測値に近い値が得られました。 PHM, NMEM |
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Breakdown Phenomena across Micrometer Scale Surface Gap under Negative Voltage Application IEEE Trans. on Dielectrics and Electrical Insulation,Vo.26,No.5,2019,pp.1377-1384 電気機器の小型化により、絶縁幅と電極間の分離が、それに応じて縮まってきました。その結果、ミクロン単位のギャップによる電気破壊は、絶縁設計にとって大きな実際的な興味です。本紙では、大気のミクロン単位のギャップによる電気破壊を不均一場の下で調べました。電気破壊は負のインパルス電圧の下で計測し、中性粒子と荷電粒子の生成、移動はPIC-MCCに基づいてシミュレーションを行いました。結果は、ミクロン単位のギャップの破壊現象が主に陰極面からの電界放出電流によって決まり、このことは真空中の放電過程と同様です。電子と中性粒子との衝突で生成される正イオンが陰極の近くで電界を強くし、陰極からの電界放出電流が増加することになります。 PIC-MCCM |
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Hydrogen atom kinetics in capacitively coupled plasmas Plasma Sources Sci. Technol. Vol.26 (2017) 055018 容量結合型高周波プラズマ中の水素原子の生成と損失が実験及びシミュレーションにより明らかになりました。 PHM,NMEM |
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Optical Property Simulation of Inductively Coupled Plasma Ion Source for a Focused Ion Beam 10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '15 (ALC '15) 28a-B-4 Inductively Coupled Plasma（ICP）イオン源から発するAr+とXe+のような希ガスの焦束されたイオン光を評価するために、PHMによりイオン密度を求め、その結果を境界条件として、PIC-MCCMによりイオン速度分布を求め、光学特性を評価しました。それによりプラズマトーチ設計を最適化することが可能となりました。 PHM,PIC-MCCM |
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BREAKDOWN PROCESS ACROSS MICROMETER-SCALE SURFACE GAP: MEASUREMENT AND PARTICLE SIMULATION The 19th International Symposium on High Voltage Engineering, Pilsen, Czech Republic, August, 23 - 28, 2015 マイクロメートル-スケールのMEMSにおける電界放出による絶縁破壊現象をシミュレーションにより調査し、その妥当性を得ることができました。 PIC-MCCM |
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DLC coating on a micro-trench by bipolar PBII&D and analysis of plasma behaviour Journal of Physics D: Applied Physics Volume 47, 2014, 335306 バイポーラパルスのPBII&Dによる、マイクロトレンチでのDLC膜生成に関する 実験とその裏づけとなるシミュレーションに関する研究です。 PIC-MCCM |
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Simulation of spatial characteristics of very high frequency hydrogen plasma produced by a balanced power feeding Thin Solid Films, Volume 547, 29 November 2013, Pages 132-136 Characteristic of VHF plasma produced by balanced power feeding Journal of Physics:Conference Series 441 (2013) 012022 狭いギャップの平行平板電極で生成されたVHF水素プラズマに対するBalanced Power Feeding(BPF)方法の効果が、 2次元シミュレーションによって示されました。電力吸収の特性が改善され、電子温度はBPFモデルにおいて、 高いガス圧のもとで減少しました。 PHM |
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Simulation analysis of triboplasma generation using the particle-in-cell/Monte Carlo collision (PIC/MCC) method Journal of Physics D: Applied Physics Volume 45 Number 49, 2012, 495203 摩擦によるトライボプラズマ生成のメカニズムが、Particle-In-Cell/Monte Carlo Collision(PIC/MCC)シミュレーションにより 理論的に解析されます。計算で得られた粒子の分布は実験で観測されたトライボプラズマ分布と良く一致しています。 ガス放電による、以前から提案されたトライボプラズマ生成が、PIC/MCCシミュレーションにより理論的に確認されます。 PIC-MCCM |
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Vertical electrical conduction in pentacene polycrystalline thin films mediated by Au-induced gap states at grain boundaries Appl Phys A (2009) 95: 225-232 Au/(多結晶のペンタセン)/Alダイオード構造の垂直方向電気伝導、および伝導特性に対する入射Au原子の運動エネルギーの影響が、 電流・電圧・温度(I.V.T)測定、紫外光電子分光法(UPS)、原子間力顕微鏡(AFM)画像などを使用して、包括的に研究されました。 RGS3D 関連資料 |
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シミュレーションと計測によるプロセスプラズマの解析：N2プラズマとH2プラズマについて Journal of the Vacuum Society of Japan Vol. 51(2008) No. 12 ,pp.807-813 ドライエッチング・プロセス、N2およびH2プラズマ用の弱電離プラズマの基本的理解を目的として、 コンピューター・シミュレーションおよび実験の診断の両方によって解析しました。 電子温度(Te)および電子密度(Ne)のような基本的なプラズマパラメーターは、プローブによって測定されました。 また、H2プラズマ中の水素原子のような電気的に中性なラジカルの数密度およびN2プラズマ中の窒素原子は、真空紫外吸収分光法(VUVAS)によって測定されました。 これらの結果を、同一の反応モデルを備えた2つの商用プラズマ・シミュレータと比較します。 TeとNeはシミュレーションで仮定された反応モデルによってそれほど影響を受けませんでしたが、ラジカルの数密度は反応モデルに強く依存します。 実験による測定値は、反応経路の再調査および表面反応割合の正確な値の使用により成功裡にシミュレートされました。 これらの結果は、反応経路セットの注意深い試行、および表面反応おける基礎的研究の本質的な発展がプラズマプロセスを理解するために不可欠であることを示します。 PIC-MCCM, NMEM 関連資料 |
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Predictable topography simulation of SiO2 etching by C5F8 gas combined with a plasma simulation, sheath model, and chemical reaction model Plasma Source Sci. Technol. 12 (2008)1-8 反応性イオン・エッチング(RIE)表面形状予測のシミュレーション(プラズマ・シミュレーション(PEGASUS)とのコンビネーションである)、 気相反応モデル、シースモデルおよび表面反応モデルが開発されました。 シミュレーションは、C5F8ガスを使用して、高アスペクト比(HAR)のコンタクトホールのSiO2エッチングプロセスに適用されます。 8インチのウエハーの容量結合形プラズマ(CCP)リアクターが、エッチング実験で使用されました。 PIC-MCCM |
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雰囲気ガスの流れと加熱がスパッタ粒子の輸送におよぼす影響 J.Vac.Soc.Jpn. (真空) Vol.49, No.3 (2006) 70-72 スパッタ装置において、スパッタ粒子が雰囲気ガスを加熱することを考慮にいれた シミュレーションを行いました。DSMC法による計算結果と テスト粒子法による計算結果の違いについても議論しています。 DSMCM |
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Computational Studies of Voltage in RF Magnetron Discharge Japanese Journal of Applied Physics Vol.44 No.12, 2005, pp.8635-8639 RF マグネトロンスパッタ装置において、ガス圧や装置の大きさと、セルフバイアス Vdc の 関係を PIC-MCCM を用いたシミュレーションで求めました。実験結果と傾向は一致していますが、 絶対値の一致はあまり良くありませんでした。不一致の原因などについて議論しています。 MSSM、PIC-MCCM |
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Proceedings of the 8th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes (ISSP-2005), Kanazawa, pp.137-140 (2005) Plasma-enhanced chemical vapor deposition of nanocrystalline diamond Science and Technology of Advanced Materials 8[7-8] (2007) 624-634 ICP装置において、ArプラズマとCH4/H2プラズマにおけるEEDF（電子エネルギー分布関数）に対して計測値と シミュレーション結果との比較を行いました。各プラズマでのシミュレーション結果は計測値と良く一致しています。 PHM、DSMCM |
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日本学術振興会第132委員会 第167回研究会資料 トレンチ形状や円筒形状の試料にパルス状に電圧を印加したときのプラズマの生成の様子、 PETボトル内部の電極に電圧を印加したときのプラズマやラジカル種の分布などの計算結果を 報告しています。PEGASUS PIC-MCCM と PHM を用いて計算しました。 PIC-MCCM |
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Particle-in-cell / Monte Carlo simulation of plasma for inner coating of a pipe Surface & Coatings Technology 196(2005)155-161 高密プラズマは、適切な条件の下のホローカソード放電効果の結果として、円筒状のターゲットの内部で生成されます。 ホローカソード放電プラズマは、ターゲットの内被に適用することができます。 円筒状のターゲット近くのプラズマ挙動を解析するために、シミュレーションは円筒座標系での「PEGASUS」を使用しました。 ガス圧力は0.1～600 Paおよび負パルスあるいはDC電圧(-30kV～ -20kV)をターゲットに印加しました。 RF(13.56MHz)、およびDCバイアスを伴うRF電圧を印加しました。 PIC-MCCM |
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Numerical study of the characteristics of erosion in magnetron sputtering Vacuum 74(2004) 359-365 マグネトロンスパッタ装置のターゲットのエロージョン形状を予測するための フィッティング関数を簡単なモデルから理論的に導出しています。 PIC-MCCM の計算結果や測定結果とよく一致しています。 MSSM、PIC-MCCM |
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マグネトロンスパッタにおけるエロージョン形状の 新しいフィッティング関数 J.Vac.Soc.Jpn. (真空) Vol.47, No.5 (2004) 30-35 マグネトロンスパッタ装置のターゲットのエロージョン形状を予測するための フィッティング関数を簡単なモデルから理論的に導出しています。 PIC-MCCM の計算結果や測定結果とよく一致しています。 MSSM、PIC-MCCM |
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プラズマイオン注入法の計算機シミュレーション Computer Simulation of Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition 電気学会論文誌 A(基礎・材料・共通部門誌) Vol.123(2003), No.8 724-730 PEGASUS PIC-MCCM を用いたシミュレーションです。 トレンチ型の試料に正/負それぞれのパルス電圧を印加したときのプラズマの生成の様子を 比較しています。 PIC-MCCM |
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Computer simulation of plasma for plasma immersed ion implantation and deposition with bipolar pulses Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 206(2003)767-771 トレンチ型の試料にバイポーラパルスを印加したときの電位分布、電子密度分布 など時間変化をPEGASUS で計算し、シース厚さの時間変化を Child-Langmuir の理論と 比較しています。 PIC-MCCM |
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Dynamic MC simulation for a-C:H deposition in methane plasma based on subplantation model Diamond and Related Materials 12(2003)927-980 DLC薄膜中の sp3結合の割合を求めるモンテカルロシミュレーションを行っています。 |
パンフレットなど
| 日付 | 資料内容 | |
| 2013年3月 更新 | A4見開きパンフレット（PDF; 1.8MB） | |
| リーフレット（PDF; 8MB ） | ||