CCP型GEC装置内のプラズマ解析検証計算(1)

計算条件

CCP型GEC装置内のプラズマ解析検証計算(1)

ガス種：Ar
上部電極：接地

検証例（１）
下部電極：
Vpp：200[V]
周波数：13.56[MHz]
ガス圧：13.33,33.33,66.67[Pa]

検証例（2）
下部電極：
Vpp：100,200,300[V]
周波数：13.56[MHz]
ガス圧：13.33[Pa]

参考文献：D. P. Lymberopoulos and D. J. Economou,"Two-Dimensional Self-Consistent Radio Frequency Plasma Simulations Relevant to the Gaseous Electronics Conference RF Reference Cell", Journal of Research of the National Institute of Standards and Technology, Vol.100, No.4, 1995

計算結果

  • 各圧力における電子密度分布

    各圧力における電子密度分布

  • 各圧力における電離レートの分布

    各圧力における電離レートの分布

  • 論文との比較(1) 径方向電子密度分布

    論文との比較(1) 径方向電子密度分布

  • 各電圧における電子密度分布

    各電圧における電子密度分布

  • 各電圧における電離レート分布

    各電圧における電離レート分布

  • 論文との比較(2) 径方向電子密度分布

    論文との比較(2) 径方向電子密度分布