CF系プラズマによるSiO2エッチング

計算条件

• 反応式は、錯体、ポリマー生成、イオンアシストエッチングなどを含む34反応式を考慮
• SiO2CxFyがエッチングのプリカーサ

計算結果

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  T=120 [s] SiO2層

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  T=240 [s] SiO2層

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  ポリマー層（T=120 [s] ）

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  ポリマー層（T=240 [s] ）

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  固体層（T=120 [s] ）

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  固体層（T=240 [s] ）