固体SiO2とポーラスSiO2のエッチング形状の比較
計算条件
マスクの幅、厚さは70[nm]、50[nm]。基板底部Siの厚さは50[nm]
CF系プラズマによるエッチング
反応式は、錯体、ポリマー生成、イオンアシストエッチングなどを含む34反応式を考慮
SiO2CxFyがエッチングのプリカーサ
ポーラスSiO2の空孔平均値、標準偏差は6[nm]、2[nm]、また空孔占有率は40%
計算結果
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ポリマー層（10秒後）
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ポリマー層（20秒後）
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ポリマー層（30秒後）
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固体層（10秒後）
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固体層（20秒後）
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固体層（30秒後）
