DCマグネトロンスパッタ装置内のスパッタ粒子の挙動

計算条件

  • バッファガスは Ar 1mTorr で一様分布、バッファガスの流れ場は無視
  • ターゲットは Al とし、ターゲットのある領域から 1eV, 1.0e18 /m3 のフラックスで放出されると仮定(スパッタ粒子の放出の境界条件については、PEGASUS/SPUTSM を用いた解析を行うことにより放出フラックス分布、放出角度分布、放出エネルギー等をより詳細に与えることが可能)

計算結果

  • 1mTorr:Al密度分布

    1mTorr:Al密度分布

  • 1mTorr:基盤のフラックス分布

  • 10mTorr:Al密度分布

    10mTorr:Al密度分布

  • 10mTorr:基盤のフラックス分布

    10mTorr:基盤のフラックス分布