DCマグネトロンスパッタ装置内のスパッタ粒子の挙動
計算条件
- バッファガスは Ar 1mTorr で一様分布、バッファガスの流れ場は無視
- ターゲットは Al とし、ターゲットのある領域から 1eV, 1.0e18 /m3 のフラックスで放出されると仮定(スパッタ粒子の放出の境界条件については、PEGASUS/SPUTSM を用いた解析を行うことにより放出フラックス分布、放出角度分布、放出エネルギー等をより詳細に与えることが可能)
計算結果
-
1mTorr:Al密度分布
-
1mTorr:基盤のフラックス分布
-
10mTorr:Al密度分布
-
10mTorr:基盤のフラックス分布