ＤＣマグネトロンスパッタ装置解析例（１）

計算条件

  • 円筒座標系
  • 直流電圧 300[V]
  • ガス圧 Ar、 5[mTorr]
  • ターゲット表面の磁束密度 0.015[T]
  • T-S 間距離 3.0[cm]
  • 磁場分布はあらかじめ別途計算して、PIC-MCCM での計算の入力データとして用いる

計算結果

  • 密度分布：電子

    密度分布：電子

  • 密度分布：Ar+

    密度分布：Ar+

  • 電子生成率

    電子生成率

  • Ar+フラックス分布

    Ar+フラックス分布

  • 電位分布

    電位分布

  • 電荷分布

    電荷分布