Ar/Cl2プラズマによるSiエッチング形状およびFPSM2Dとの比較

計算条件

FPSM2Dの計算ではマスクの幅、厚さは0.3[um]、0.4[um]、Si基板の厚さは2[um]
FPSM3Dのホールの計算(Z軸1/2モデル)ではマスクのホール直径は0.4[um]、マスクの厚さおよびSi基板の厚さは同上
FPSM3Dの矩形穴の計算(Z軸1/2モデル）では矩形穴幅、奥行きは0.4[um]、0.2[um]、マスクの厚さおよびSi基板の厚さは同上
マスクへのイオン入射の際は入射角度・入射エネルギーを考慮した反射モデルを用いていますが、ラジカル、イオンとマスクとの物理・化学反応はこの計算では考慮していません
Si基板と入射粒子との物理・化学反応はイオンアシストエッチング反応を含め17種類の反応を考慮しています
すべての計算においてイオン・ラジカル情報、反応種、反応確率は同一です

計算結果

FPSM2Dによる計算結果（エッチレートはおよそ90[nm/min]）
FPSM3Dによる計算結果 15分後の各断面形状